发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method of manufacturing the same
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申请号： CN201010243230.2申请日： 2010-07-30
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公开(公告)号： CN101996940B公开(公告)日： 2013-03-27
- 发明人: 青木康志
- 申请人： 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 孙志湧; 穆德骏
- 优先权： 2009-194665 2009.08.25 JP
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/8242 ; H01L23/528
摘要：
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，到达单元晶体管扩散区的第一接触孔、到达单元晶体管扩散区的位线接触孔和与位线接触孔连通的互连凹槽被掩埋在第一绝缘膜中。另外，通过将导电材料掩埋在第一接触孔、位线接触孔和互连凹槽中，分别形成第一接触插塞和位线接触，并且第一接触插塞通过在第二绝缘膜中形成的开口被电连接到在第三绝缘膜中形成的电容器。
公开/授权文献
- CN101996940A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2011-03-30
IPC分类:
