发明授权
CN102005305B Al2O3修饰ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: Al2O3修饰ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing Al2O3 modified ZnO nano porous thin film combined electrode
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申请号: CN201010575319.9申请日: 2010-12-01
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公开(公告)号: CN102005305B公开(公告)日: 2012-12-05
- 发明人: 张跃 , 秦子 , 黄运华 , 廖庆亮
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号北科大科技处
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号北科大科技处
- 代理机构: 北京东方汇众知识产权代理事务所
- 代理商 刘淑芬
- 主分类号: H01G9/04
- IPC分类号: H01G9/04 ; H01G9/20 ; H01M14/00 ; H01L51/48
摘要:
本发明属于纳米材料技术领域,特别涉及一种Al2O3修饰ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法。其特征在于:利用ZnO纳米颗粒多孔薄膜作为复合电极基础层;选取旋转涂覆氧化铝溶胶法作为制备Al2O3-ZnO纳米颗粒多孔薄膜复合电极的方法;通过对溶胶的浓度、涂覆层数、烧结次数的调整可合理控制Al 2O3薄膜涂层的厚度,从而实现对复合电极性能的调控,利用氧化铝修饰层来提高氧化锌纳米颗粒多孔薄膜电极在进行染料敏化过程中的抗酸腐蚀性。本发明制备的用于染料敏化太阳能电池的稳定性高的Al2O3-ZnO纳米颗粒多孔薄膜复合阳极。具有性能稳定、耐酸性强、制备方法简单、成本低、效率高、面积可调范围广以及适合工业生产等许多优点。
公开/授权文献
- CN102005305A Al2O3修饰ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法 公开/授权日:2011-04-06