- 专利标题： 对紧密间隔晶体管中接触等级的介电材料加以图案化的具有缩减厚度的蚀刻终止层
- 专利标题（英）： Etch stop layer of reduced thickness for patterning a dielectric material in a contact level of closely spaced transistors
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申请号： CN200980113333.2申请日： 2009-02-27
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公开(公告)号： CN102007589B公开(公告)日： 2013-11-06
- 发明人: K·维乔雷克 , M·奥尔斯特曼 , P·许布勒 , K·鲁特洛夫
- 申请人： 格罗方德半导体公司
- 申请人地址： 英国开曼群岛
- 专利权人： 格罗方德半导体公司
- 当前专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 当前专利权人地址： 英国开曼群岛
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 靳强
- 优先权： 102008011928.8 2008.02.29 DE; 12/260,147 2008.10.29 US
- 国际申请： PCT/US2009/001287 2009.02.27
- 国际公布： WO2009/108370 EN 2009.09.03
- 进入国家日期： 2010-10-15
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/8238
摘要：
于双应力衬里方法中，中间蚀刻终止材料(234)可以基于等离子体辅助氧化工艺(250)而非通过沉积方式来设置，因此可以减少蚀刻终止材料(234)之对应厚度(234T)。如此一来，所造成的纵横比相较于习知策略较不明显，藉此减少与沉积相关之不规则，其中，该不规则可能转化成为明显的产率损失降低，尤其对于高度微缩之半导体器件(200)而言更为明显。
公开/授权文献
- CN102007589A 对紧密间隔晶体管中接触等级的介电材料加以图案化的具有缩减厚度的蚀刻终止层 公开/授权日：2011-04-06
IPC分类:
