提供形成用在存储器单元中的平坦碳纳米管(“CNT”)电阻率切换材料的方法，所述方法包括：沉积第一介电材料(58b)；对第一介电材料构图；蚀刻该第一介电材料来形成在该第一介电材料内的形态；在该第一介电材料上沉积CNT电阻率切换材料，以用该CNT电阻率切换材料至少部分地填充该形态；在该CNT电阻率切换材料上沉积第二介电材料(112)；以及平坦化该第二介电材料和该CNT电阻率切换材料以暴露在所述形态内的该CNT电阻率切换材料的至少一部分。还提供其他方面。