发明授权
- 专利标题: 电压基准电路
- 专利标题(英): Voltage reference circuit
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申请号: CN200910057947.5申请日: 2009-09-24
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公开(公告)号: CN102033565B公开(公告)日: 2013-03-13
- 发明人: 崔文兵
- 申请人: 上海华虹NEC电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区川桥路1188号
- 专利权人: 上海华虹NEC电子有限公司
- 当前专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区川桥路1188号
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 王江富
- 主分类号: G05F3/30
- IPC分类号: G05F3/30 ; H02H3/20
摘要:
本发明公开了一种电压基准电路,在已有的传统常用带隙基准电压源电路结构基础上增加固定偏置电路和启动、过压保护电路,在固定偏置电路中实现一倍双极型晶体管基极射极PN结电压VBE和二倍双极型晶体管基极射极PN结电压2VBE,再通过启动、过压保护电路实现双极型晶体管基极射极PN结电压与带隙基准电压源输出的基准电压的比较控制,使带隙基准电压源正常工作的输出基准电压限定在安全的范围内,当输出的基准电压过高时,能实现电路的自动保护,并且结构简单,适合在各种双极型晶体管和金属氧化物场效应管兼容的工艺下制造。
公开/授权文献
- CN102033565A 电压基准电路 公开/授权日:2011-04-27