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发明授权
CN102034757B 用于制造包含公共源极晶体管的半导体器件的方法 有权 转让

用于制造包含公共源极晶体管的半导体器件的方法
摘要：
本发明公开了一种用于制造包含公共源极晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离区，并在所述浅沟槽隔离区中填充绝缘层；在所述多个浅沟槽隔离区之间的衬底上形成至少两个栅极；在未来不形成公共源极的衬底区域上涂敷光刻胶；刻蚀去除将要形成公共源极的浅沟槽隔离区内的绝缘层；进行离子注入，形成公共的源极；在所述至少两个栅极之间形成了公共源极的区域上涂敷光刻胶。根据本发明的方法能够有效解决共源极双栅极MOSFET的栅极坍塌现象，提高生产工艺的良品率。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
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