Invention Grant
CN102034788B 半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法
- Patent Title (English): Substrate with built-in semiconductor element and method for manufacturing the same
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Application No.: CN201010184938.5Application Date: 2010-05-21
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Publication No.: CN102034788BPublication Date: 2014-01-08
- Inventor: 伊藤正纪
- Applicant: 冲电气工业株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 冲电气工业株式会社
- Current Assignee: 冲电气工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 黄纶伟; 吕俊刚
- Priority: 2009-224672 2009.09.29 JP
- Main IPC: H01L23/498
- IPC: H01L23/498 ; H01L21/48 ; H01L21/60

Abstract:
半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法,抑制电介质对构成为包含分布常数电路的半导体元件的影响,且能够保护半导体元件不受对其施加的载荷的影响。半导体元件内置基板(10)具有:基板(18A),其在电介质层上层叠有第1金属层;半导体元件,其构成为包含分布常数电路,并且,在与基板(18A)相向的面的周边区域形成有多个接合焊盘,通过与接合焊盘对应的具有导电性的焊锡凸块(22A),与第1金属层电连接;焊锡凸块(22B),其在半导体元件的上述周边区域的内侧、且与形成有上述分布常数电路的内侧区域对应配置,介于半导体元件和基板(18A)之间来支承半导体元件;以及基板(18B),其粘贴在基板(18A)和半导体元件上。
Public/Granted literature
- CN102034788A 半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法 Public/Granted day:2011-04-27
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