发明授权
- 专利标题: 等离子体损伤程度的检测方法
- 专利标题(英): Detection method of degree of damage of plasma
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申请号: CN200910196932.7申请日: 2009-10-09
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公开(公告)号: CN102044458B公开(公告)日: 2012-12-26
- 发明人: 赵永 , 江顺旺 , 郭强 , 简维廷
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 李丽
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; G01R19/00 ; G01R19/165
摘要:
一种等离子体损伤程度的检测方法,包括:提供一批芯片;提供所述一批芯片阈值电压漂移量的上限值;测试所述一批芯片的漏电流,获得所述漏电流分布;从所述一批芯片中抽取部分芯片,测试所述部分芯片的阈值电压,获得阈值电压漂移量及其分布;根据所述阈值电压漂移量和所述上限值,确定所述部分芯片的合格率;应用所述部分芯片合格率于所述一批芯片,建立所述一批芯片的漏电流标准值;根据所述一批芯片的漏电流标准值,检测所述一批芯片的等离子体损伤程度。本发明方法可以降低检测成本,提高检测效率,实现在线检测,同时不会对芯片造成损伤。
公开/授权文献
- CN102044458A 等离子体损伤程度的检测方法 公开/授权日:2011-05-04
IPC分类: