本发明涉及一种通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的方法，包括：借助于设置在由硅构成的转动板的下方的感应加热线圈，使单晶体的锥形延伸区段结晶；以及通过板中的锥形管将被感应熔化的硅供给到熔融体，所述管环绕板的中心开口且延伸到板的下方，所述熔融体位于单晶体的锥形延伸区段上，且与锥形管的管端接触，其中，借助于设置在板的下方的感应加热线圈，提供足够的能量，以便在单晶体的锥形延伸区段具有15-30mm的直径且结晶时使管端的外径不小于15mm。