发明授权
CN102064105B 基板处理方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 基板处理方法
- 专利标题（英）： Substrate processing method
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申请号： CN201010548590.3申请日： 2007-03-22
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公开(公告)号： CN102064105B公开(公告)日： 2013-03-27
- 发明人: 西村荣一
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2006-079640 2006.03.22 JP
- 分案原申请号： 200710089424X 2007.03.22
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/00 ; H01L21/308
摘要：
一种能够防止给基板的背面造成伤痕的基板处理方法。涂布/显影机(11)利用涂布单元(22c)将光硬化性树脂涂布在晶片(W)的背面上，利用硬化单元(82a)硬化光硬化性树脂，形成树脂保护膜，利用涂布单元(22a)在晶片的表面上涂布正型抗蚀剂。曝光机(12)将紫外线向着抗蚀剂，照射在与规定的掩模图形翻转后的图形相对应的部分上，对抗蚀剂进行曝光处理。显影单元(82a)利用清洗液除去实施过曝光处理的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。蚀刻装置(13)将晶片吸附保持在基座(39)的静电卡盘(49)上，对晶片的背面进行RIE处理。清洗装置(14)利用基板清洗单元(77)等溶解、除去形成在晶片背面上的树脂保护膜。
公开/授权文献
- CN102064105A 基板处理方法及存储介质 公开/授权日：2011-05-18
IPC分类:
