• 专利标题: 具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法
  • 专利标题(英): Silicon-based double-junction solar cell with homojunction and heterojunction and preparation method thereof
  • 申请号: CN201010541492.7
    申请日: 2010-11-11
  • 公开(公告)号: CN102064210B
    公开(公告)日: 2013-01-16
  • 发明人: 陈哲艮
  • 申请人: 陈哲艮
  • 申请人地址: 浙江省杭州市文二路花园北村9-2-301
  • 专利权人: 陈哲艮
  • 当前专利权人: 浙江晶盛机电股份有限公司
  • 当前专利权人地址: 浙江省杭州市文二路花园北村9-2-301
  • 代理机构: 杭州丰禾专利事务所有限公司
  • 代理商 王从友
  • 主分类号: H01L31/078
  • IPC分类号: H01L31/078 H01L31/18
具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法
摘要:
本发明涉及新能源领域,尤其涉及一种硅基太阳电池及其制备方法。具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池,该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极,所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片,在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结,同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结;晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜,硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米膜,硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结。本发明的太阳电池在获得高转换效率和性价比的同时,改善电池光电性能的一致性与稳定性。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/06 ..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/078 ...包含已列入H01L31/061至H01L31/075组中两组或更多组的不同类型的势垒
0/0