- 专利标题: 具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法
- 专利标题(英): Silicon-based double-junction solar cell with homojunction and heterojunction and preparation method thereof
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申请号: CN201010541492.7申请日: 2010-11-11
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公开(公告)号: CN102064210B公开(公告)日: 2013-01-16
- 发明人: 陈哲艮
- 申请人: 陈哲艮
- 申请人地址: 浙江省杭州市文二路花园北村9-2-301
- 专利权人: 陈哲艮
- 当前专利权人: 浙江晶盛机电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市文二路花园北村9-2-301
- 代理机构: 杭州丰禾专利事务所有限公司
- 代理商 王从友
- 主分类号: H01L31/078
- IPC分类号: H01L31/078 ; H01L31/18
摘要:
本发明涉及新能源领域,尤其涉及一种硅基太阳电池及其制备方法。具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池,该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极,所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片,在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结,同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结;晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜,硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米膜,硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结。本发明的太阳电池在获得高转换效率和性价比的同时,改善电池光电性能的一致性与稳定性。
公开/授权文献
- CN102064210A 具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法 公开/授权日:2011-05-18
IPC分类: