Invention Grant
CN102074385B 芯片型双电层电容器及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 芯片型双电层电容器及其制造方法
- Patent Title (English): Chip-type electric double layer capacitor cell and method of manufacturing the same
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Application No.: CN201010542891.5Application Date: 2010-11-05
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Publication No.: CN102074385BPublication Date: 2013-03-13
- Inventor: 郑昌烈 , 李圣镐 , 朴东燮 , 郑玄喆 , 赵英洙 , 李相均
- Applicant: 三星电机株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道水原市
- Assignee: 三星电机株式会社
- Current Assignee: 三星电机株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道水原市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 郭鸿禧; 李娜娜
- Priority: 10-2009-0106574 2009.11.05 KR; 10-2009-0106575 2009.11.05 KR
- Main IPC: H01G11/80
- IPC: H01G11/80 ; H01G11/82 ; H01G11/74 ; H01G11/84

Abstract:
本发明提供了一种芯片型双电层电容器及其制造方法。所述芯片型双电层电容器包括:树脂壳,树脂壳中设置有容纳空间并由绝缘树脂形成;第一外部端子和第二外部端子,通过嵌件注射成型插入到树脂壳中,第一外部端子和第二外部端子均具有暴露到树脂壳的外表面的第一部分以及暴露到容纳空间的内表面的第二部分;密封部分,包括沿第一外部端子和第二外部端子的至少一个的周围设置在树脂壳中的凹槽部分以及填充该凹槽部分的树脂;双电层电容器单元,安装在容纳空间中并电连接到第一外部端子和第二外部端子的第二部分。
Public/Granted literature
- CN102074385A 芯片型双电层电容器及其制造方法 Public/Granted day:2011-05-25
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