构成MEMS器件的硅衬底的刻蚀方法
摘要:
本发明公开了一种构成MEMS器件的硅衬底的刻蚀方法,包括以下步骤:步骤1,提供硅衬底,在所述硅衬底上表面和下表面分别沉积第一硬掩膜层和第二硬掩膜层;步骤2,通过光刻工艺在所述第一硬掩膜层上形成图案化的光阻层;步骤3,以所述图案化的光阻层为掩膜,通过干法刻蚀工艺对所述第一硬掩膜层进行刻蚀,形成图案化的第一硬掩膜层;步骤4,去除所述图案化的光阻层;步骤5,在所述第二硬掩膜层上沉积SiN层;步骤6,以所述图案化的第一硬掩膜层为掩膜,通过各向异性湿法刻蚀工艺对所述硅衬底进行刻蚀。
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