发明授权
- 专利标题： 高纯度铜靶材的制作方法
- 专利标题（英）： Manufacturing method of high-purity copper targets
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申请号： CN200910253945.3申请日： 2009-12-09
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公开(公告)号： CN102091733B公开(公告)日： 2013-02-13
- 发明人: 姚力军 , 潘杰 , 王学泽 , 袁海军 , 刘庆
- 申请人： 宁波江丰电子材料有限公司
- 申请人地址： 浙江省余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
- 专利权人： 宁波江丰电子材料有限公司
- 当前专利权人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 李丽
- 主分类号： B21D25/00
- IPC分类号： B21D25/00
摘要：
一种高纯度铜靶材的制作方法，所述方法包括：提供铜料件，所述铜料件具有原始厚度；对所述铜料件进行冷压延，制成目标铜靶材；对所述目标铜靶材进行热处理。所述冷压延步骤包括：具有第一压延量的第一冷压延、具有第二压延量的第二冷压延、具有第三压延量的第三冷压延，所述第一压延量、第二压延量、第三压延量依次减小。通过对压延量、铜料件角度、热处理温度、热处理时间进行控制，得到了尺寸合适、内部晶粒大小符合要求的高纯度铜靶材。
公开/授权文献
- CN102091733A 高纯度铜靶材的制作方法 公开/授权日：2011-06-15
