发明授权
CN102103151B 薄膜型探针单元及其制造方法和使用其测试对象的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 薄膜型探针单元及其制造方法和使用其测试对象的方法
- 专利标题（英）： Film type probe unit and manufacturing method of the same, manufacturing method and inspection method using the same of work
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申请号： CN201010511679.2申请日： 2010-10-08
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公开(公告)号： CN102103151B公开(公告)日： 2014-01-22
- 发明人: 金宪敏
- 申请人： 寇地斯股份有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 寇地斯股份有限公司
- 当前专利权人： 寇地斯股份有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘佳
- 优先权： 10-2009-0093812 2009.10.01 KR
- 主分类号： G01R1/067
- IPC分类号： G01R1/067 ; G01R3/00 ; G01R31/00
摘要：
本发明提供了通过在驱动IC的、按微小间距形成的、向其施加不同信号的导线之间形成充足裕量来精确地向测试设备的电极施加信号的薄膜型探针单元及其制造方法和测试测试对象的方法。该薄膜型探针单元包括各导线中的任意一条做成与电极无电接触的虚设线。
公开/授权文献
- CN102103151A 薄膜型探针单元及其制造方法和使用其测试对象的方法 公开/授权日：2011-06-22
