发明授权
CN102105835B 波长变换元件和制造波长变换元件的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 波长变换元件和制造波长变换元件的方法
- 专利标题(英): Wavelength conversion element and method for manufacturing wavelength conversion element
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申请号: CN200980128974.5申请日: 2009-07-28
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公开(公告)号: CN102105835B公开(公告)日: 2013-03-13
- 发明人: 佐藤一成 , 宫永伦正 , 山本喜之 , 中幡英章
- 申请人: 住友电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 陈海涛; 樊卫民
- 优先权: 2008-203399 2008.08.06 JP; 2009-137157 2009.06.08 JP
- 国际申请: PCT/JP2009/063375 2009.07.28
- 国际公布: WO2010/016408 JA 2010.02.11
- 进入国家日期: 2011-01-24
- 主分类号: G02F1/355
- IPC分类号: G02F1/355 ; G02F1/377
摘要:
本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13),并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换,使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11,12)形成畴相反结构,在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11,12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
公开/授权文献
- CN102105835A 波长变换元件和制造波长变换元件的方法 公开/授权日:2011-06-22