- 专利标题: 高压集成电路的dV/dt耐量测试装置及其测试方法
- 专利标题(英): Device and method for testing dV/dt tolerance of high voltage integrated circuit
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申请号: CN200910157172.9申请日: 2009-12-23
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公开(公告)号: CN102109573B公开(公告)日: 2013-06-12
- 发明人: 冯宇翔 , 王文建 , 洪益文 , 邱学海
- 申请人: 杭州士兰微电子股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市黄姑山路4号(高新区)
- 专利权人: 杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人: 杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市黄姑山路4号(高新区)
- 主分类号: G01R31/303
- IPC分类号: G01R31/303
摘要:
本发明提供了高压集成电路的dV/dt耐量测试装置,包括触发电路和被测高压集成电路,被测高压集成电路包括VCC脚、GND脚、VB脚、VS脚和HOUT脚,HOUT脚电平置高,所述触发电路调节被测高压集成电路GND脚和VS脚间的dV/dt,若HOUT脚电平发生变化被置低,则被测高压集成电路GND脚和VS脚间的dV/dt超出范围,得出此时被测高压集成电路的VS脚对GND脚电压变化的变化量dV和变化所用的时间dt,从而计算出VS脚对GND脚的dV/dt值。本发明在不改变被测高压集成电路工作条件的情况下,测试出高压集成电路的dV/dt耐量范围,同时本发明防止因超过耐量时对测试设备造成的损坏。
公开/授权文献
- CN102109573A 高压集成电路的dV/dt耐量测试装置及其测试方法 公开/授权日:2011-06-29