发明授权
CN102110735B 半导体紫外探测传感器及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体紫外探测传感器及其制备方法
- 专利标题(英): Semiconductor ultraviolet detection sensor and preparation method thereof
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申请号: CN201010508591.5申请日: 2010-10-13
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公开(公告)号: CN102110735B公开(公告)日: 2012-09-26
- 发明人: 秦勇 , 白所 , 吴巍炜
- 申请人: 兰州大学
- 申请人地址: 甘肃省兰州市天水南路222号
- 专利权人: 兰州大学
- 当前专利权人: 兰州大学
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市天水南路222号
- 代理机构: 兰州振华专利代理有限责任公司
- 代理商 张晋
- 主分类号: H01L31/09
- IPC分类号: H01L31/09 ; G01J1/42 ; H01L31/0224 ; H01L31/0203 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开一种用于紫外探测的半导体传感器及这种传感器的制备方法。本发明的半导体紫外探测传感器由基板、负载于基板上的电极和位于电极之间的并联集成的氧化锌纳米线,其中的电极为两个各呈梳齿状且相向布置的电极,其中一个电极的梳齿插入另一个电极的两个梳齿之间,形成齿插状,在相邻的两个梳齿上均并联集成着氧化锌纳米线。本发明的传感器光响应电流可达到毫安量级,使得紫外光的探测和其强度表征难度显著下降。
公开/授权文献
- CN102110735A 半导体紫外探测传感器及其制备方法 公开/授权日:2011-06-29
IPC分类: