发明授权
- 专利标题： 使用纳米线掩模的光刻工艺和使用该工艺制造的纳米级器件
- 专利标题（英）： Lithographic process using nanowire mask, and nanoscale devices fabricated using process
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申请号： CN200980129898.X申请日： 2009-06-18
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公开(公告)号： CN102113104B公开(公告)日： 2013-05-01
- 发明人: A·科利
- 申请人： 诺基亚公司
- 申请人地址： 芬兰埃斯波
- 专利权人： 诺基亚公司
- 当前专利权人： 诺基亚技术有限公司
- 当前专利权人地址： 芬兰埃斯波
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 酆迅; 郑菊
- 优先权： 12/221,068 2008.07.29 US
- 国际申请： PCT/FI2009/050536 2009.06.18
- 国际公布： WO2010/012860 EN 2010.02.04
- 进入国家日期： 2011-01-28
- 主分类号： H01L21/335
- IPC分类号： H01L21/335 ; H01L21/336 ; H01L51/00 ; H01L29/775 ; H01L29/06
摘要：
本公开属于在半导体衬底(120)上制作纳米级场效应晶体管结构的方法。所述方法包括在多层衬底的半导体上层(122)上布置掩模，并在纳米线光刻工艺中去除上层(122)未被掩模覆盖的区域。掩模包括分隔一段距离的两个导电端子(132、134)以及跨所述距离与导电端子(132、134)接触的纳米线(110)。纳米线光刻使用深反应离子刻蚀执行，其导致纳米线掩模(110、132、134)与下方半导体层(122)的结合以形成场效应晶体管的纳米级的半导体沟道。
公开/授权文献
- CN102113104A 使用纳米线掩模的光刻工艺和使用该工艺制造的纳米级器件 公开/授权日：2011-06-29
IPC分类:
