发明授权
- 专利标题： 自对准金属硅化物的形成方法
- 专利标题（英）： Method for forming self-aligned metallic silicide
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申请号： CN201010002008.3申请日： 2010-01-05
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公开(公告)号： CN102117744B公开(公告)日： 2013-04-03
- 发明人: 石永昱 , 王栩
- 申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 李丽
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/768 ; H01L21/336
摘要：
一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；对所述硅区域进行离子注入；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明形成的金属硅化物层均匀性好且器件不会出现桥接现象。
公开/授权文献
- CN102117744A 自对准金属硅化物的形成方法 公开/授权日：2011-07-06