- 专利标题: 一种基于巨磁电阻效应的测量磁场方向和强度的传感器
- 专利标题(英): Giant magnetoresistance effect based sensor for measuring directions and intensity of magnetic fields
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申请号: CN201110023325.8申请日: 2011-01-20
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公开(公告)号: CN102129053A公开(公告)日: 2011-07-20
- 发明人: 何金良 , 嵇士杰 , 胡军 , 刘俊 , 欧阳勇
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 罗文群
- 主分类号: G01R33/09
- IPC分类号: G01R33/09
摘要:
本发明涉及一种基于巨磁电阻效应的测量磁场方向和强度的传感器,属于磁场测量技术领域。本传感器,包括:用于测量X方向上的磁场分量的X传感单元以及用于测量Y方向上的磁场分量的Y传感单元。每个传感单元采用两级电桥结构,第一级电桥采用相同的恒压电源供电,第二级电桥采用第一级电桥的输出为其供电,第一级输出为所测磁场产生的电压,第二级输出为所测磁场产生的电压的平方。本发明传感器适用于未知磁场的强度和方向的测量,既能够应用于地磁场,输电线路和变电站处磁场等各类磁场测量中,也可以用于电力系统中和电子系统中的电流测量,且体积小,响应速度快、灵敏度高,极大地提高了传感器的测量频率范围和响应速度。
公开/授权文献
- CN102129053B 一种基于巨磁电阻效应的测量磁场方向和强度的传感器 公开/授权日:2012-10-10