- 专利标题： 一种用于直接驱动功率器件的高压栅驱动芯片的制备方法
- 专利标题（英）： Method for producing high-voltage grid drive chip for directly driving power device
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申请号： CN201010604240.4申请日： 2010-12-24
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公开(公告)号： CN102130060B公开(公告)日： 2013-02-20
- 发明人: 谷健 , 胡同灿
- 申请人： 日银IMP微电子有限公司
- 申请人地址： 浙江省宁波市科技园区杨木契路578弄7号
- 专利权人： 日银IMP微电子有限公司
- 当前专利权人： 中芯集成电路(宁波)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省宁波市科技园区杨木契路578弄7号
- 代理机构： 宁波奥圣专利代理事务所
- 代理商 程晓明
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L21/762 ; H01L21/28 ; H01L21/265 ; H01L21/308
摘要：
本发明公开了一种用于直接驱动功率器件的高压栅驱动芯片的制备方法，通过采用高压结隔离工艺将高压侧驱动控制模块和低压侧驱动控制模块隔离开，且在常规CMOS管工艺PN结隔离的基础上，通过在PN结表面形成降低表面电场区域，利用两层多晶硅形成电容分压器，有效地改变了PN结表面电场分布，形成了高压横向DMOS管的高压隔离，再通过形成P型轻掺杂区域，制备得到高压N型横向DMOS管，与常规横向DMOS管相比较，通过增加P型降低电场区域结构和双层多晶硅电容结构，可以达到700V以上的耐压要求；同时本制备方法工序简洁、成本较低，仅需要13块结构层次就可以形成直接驱动功率器件的高压栅驱动电路器件。
公开/授权文献
- CN102130060A 一种用于直接驱动功率器件的高压栅驱动芯片的制备方法 公开/授权日：2011-07-20
IPC分类:
