本发明公开了一种高出光效率的LED晶片及其制造方法，包括衬底，形成于衬底正面的半导体层，所述半导体层包括依次形成于衬底正面的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于，所述衬底为倒梯台形状，倒梯台衬底的侧边与垂直方向形成的夹角为30～45°；所述半导体层为倒梯台形状，倒梯台半导体层的侧边与衬底正面形成的夹角为50～70°，所述半导体层的底部表面积比所述衬底正面的表面积小。这样设置可以增大LED晶片的出光面积，减少光在LED晶片内发生全反射，提高LED晶片的出光效率，将光最大可能地从LED晶片内导出，同时也大大提高了LED晶片的使用寿命。