一种轻质电子封装材料的制备工艺
摘要:
一种轻质电子封装材料的制备工艺,由铝和硅构成,其中硅的质量百分比含量为30%-80%,其余为铝,将铝和硅混合后置于800℃~1300℃下经真空感应炉熔炼制成自耗电极棒,再装入电渣炉进行电渣熔炼,电渣炉工作电压为20-40V,工作电流为1~10kA,引弧块为纯铝块,引弧渣料为CaF2,熔炼过程中加入经500℃~800℃下保温4~8小时的电渣渣料,电渣渣料的加入量为自耗电极棒质量的3%~4%,所述的电渣渣料由Na3AlF6、NaCl及KCl组成,电渣渣料组份的质量百分数为:20%~30%Na3AlF6、25%~35%NaCl、45%~55%KCl;电渣熔炼后经水冷结晶器快速凝固的铝硅铸锭再在325℃~375℃退火处理3~5小时。
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