发明授权
CN102134650B 一种轻质电子封装材料的制备工艺
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种轻质电子封装材料的制备工艺
- 专利标题(英): Preparation process of light electronic packaging material
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申请号: CN201010600470.3申请日: 2010-12-22
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公开(公告)号: CN102134650B公开(公告)日: 2012-04-11
- 发明人: 薛烽 , 刘欢 , 周健 , 白晶 , 孙扬善
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市四牌楼2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市四牌楼2号
- 代理机构: 南京天翼专利代理有限责任公司
- 代理商 汤志武
- 主分类号: C22B9/18
- IPC分类号: C22B9/18 ; C22C21/02 ; C22C28/00 ; C22F1/043 ; C22F1/16 ; H01L23/28
摘要:
一种轻质电子封装材料的制备工艺,由铝和硅构成,其中硅的质量百分比含量为30%-80%,其余为铝,将铝和硅混合后置于800℃~1300℃下经真空感应炉熔炼制成自耗电极棒,再装入电渣炉进行电渣熔炼,电渣炉工作电压为20-40V,工作电流为1~10kA,引弧块为纯铝块,引弧渣料为CaF2,熔炼过程中加入经500℃~800℃下保温4~8小时的电渣渣料,电渣渣料的加入量为自耗电极棒质量的3%~4%,所述的电渣渣料由Na3AlF6、NaCl及KCl组成,电渣渣料组份的质量百分数为:20%~30%Na3AlF6、25%~35%NaCl、45%~55%KCl;电渣熔炼后经水冷结晶器快速凝固的铝硅铸锭再在325℃~375℃退火处理3~5小时。
公开/授权文献
- CN102134650A 一种轻质电子封装材料的制备工艺 公开/授权日:2011-07-27