本发明公开了一种半导体制造装置和半导体器件制造方法。所述半导体制造装置包括腔室、传感器、粘附概率计算部、作用部和控制部。在所述腔室中能够布置晶片。传感器检测表示所述腔室内的状态的指标值。粘附概率计算部被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值。作用部能够改变所述腔室中的粘附概率。控制部被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。因此，通过控制粘附概率，可以将腔室壁维持在所需状态下并使蚀刻速率稳定，因而能够稳定地制造质量良好的半导体器件。