发明授权
CN102140618B 基于离子注入辐照损伤的互不固溶体系渗金属工艺和电极材料
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于离子注入辐照损伤的互不固溶体系渗金属工艺和电极材料
- 专利标题(英): Mutual non-solid-solution system metal infiltration process based on ion implantation radiation damage and electrode material
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申请号: CN201110008856.X申请日: 2011-01-17
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公开(公告)号: CN102140618B公开(公告)日: 2012-11-07
- 发明人: 黄远 , 程保义 , 孔德月 , 呼文韬 , 王玉林
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津市杰盈专利代理有限公司
- 代理商 王小静
- 主分类号: C23C10/28
- IPC分类号: C23C10/28 ; C23C14/48 ; C23C14/16 ; C23C14/24 ; C23C14/58
摘要:
本发明涉及一种基于离子注入辐照损伤互不固溶体系渗金属工艺和装置。包括的步骤是纯钨金属的打磨和超声波清洗、真空干燥、银金属等离子注入、钨金属表面真空蒸镀覆银、真空干燥,氩气保护渗银、热压补渗、钨/银复合金属材料截面扫描电镜观察、截面线扫描成分分析、沿材料深度的成分俄歇能谱分析、钨/银复合金属材料用于点焊电极时焊接强度测试、焊头拉伸断口SEM观察。本发明采用金属等离子注入技术,结合真空蒸镀、高温渗银和热压补渗工艺,成功地将银金属渗进了钨金属工件表面,制备出了钨/银复合金属材料。测试结果表明,采用该钨/银复合金属材料电极对银金属互连片和航天飞行器太阳能电池片进行电阻点焊时,其单点焊接强度达到了450克力(gf),超过了国家军用标准和目前企业标准,焊头拉伸断口扫描电镜分析为韧性断裂。
公开/授权文献
- CN102140618A 基于离子注入辐照损伤的互不固溶体系渗金属工艺和装置 公开/授权日:2011-08-03
IPC分类: