发明授权
- 专利标题: 光致发光晶片及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Photoluminescent wafer as well as preparation method and application thereof
-
申请号: CN201010616828.1申请日: 2010-12-31
-
公开(公告)号: CN102140690B公开(公告)日: 2013-05-01
- 发明人: 陈哲艮
- 申请人: 陈哲艮
- 申请人地址: 浙江省杭州市文二路花园北村9-2-301
- 专利权人: 陈哲艮
- 当前专利权人: 浙江深度照明有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市文二路花园北村9-2-301
- 代理机构: 杭州丰禾专利事务所有限公司
- 代理商 王从友
- 主分类号: C30B29/28
- IPC分类号: C30B29/28 ; C30B11/00 ; C30B15/00 ; H01L33/48 ; H01L33/00 ; H01L25/075
摘要:
本发明涉及发光二极管(LED)制造领域,尤其涉及用于LED的光致发光晶片及其制备方法和应用。光致发光晶片,所述的光致发光晶片为具有通式为A3B5O12的石榴石结构不掺加任何树脂和其它粘结剂的片状晶体,光致发光晶片的厚度≥20μm,晶粒的尺寸≥10μm;并且,所述的光致发光晶片的元素成分中包括:第一元素A为稀土元素Y、Lu、La、Gd或Sm中的至少一种;第二元素B为元素Al、Ga或In中的至少一种;激活元素为稀土元素Ce,Pr,Tb或Dy中至少一种。本发明光致发光晶片具有以下特点:发光效率高,发光均匀性好;不会由于粘结剂的光吸收而减小发光层的透光性;光致发光晶片表面容易实施各种光学处理。
公开/授权文献
- CN102140690A 光致发光晶片及其制备方法和应用 公开/授权日:2011-08-03
IPC分类: