发明授权
- 专利标题： 带隙移动的半导体表面和装置
- 专利标题（英）： Bandgap-shifted semiconductor surface and apparatus
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申请号： CN200980131092.4申请日： 2009-06-07
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公开(公告)号： CN102144295B公开(公告)日： 2014-07-30
- 发明人: J·M·格拉 , L·M·图林 , A·N·钱德卡
- 申请人： 奈诺普特科公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州
- 专利权人： 奈诺普特科公司
- 当前专利权人： 奈诺普特科公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
- 代理机构： 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
- 代理商 王勇
- 优先权： 12/136716 2008.06.10 US; 12/136736 2008.06.10 US
- 国际申请： PCT/US2009/046531 2009.06.07
- 国际公布： WO2009/152063 EN 2009.12.17
- 进入国家日期： 2011-02-10
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L21/306
摘要：
二氧化钛是一种半导体，也是一种化学惰性的光催化剂。由于其带隙为3.2或者更大，触发二氧化钛的光催化性能需要大约390nm波长的光，这些光在太阳光强度非常低的紫外线区内。描述了一种方法和装置，其中为了使带隙能量移动或降低到太阳光更充足的较长波长，在二氧化钛的薄膜引入了应力并对其实施控制。这种引入应力的带隙移动的二氧化钛光催化的表面在应用上包括从水中光电解产生氢气，以光电伏的方式发电，和光催化作用消毒。
公开/授权文献
- CN102144295A 带隙移动的半导体表面和装置 公开/授权日：2011-08-03
IPC分类:
