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发明公开
CN102144311A 用于顶栅有机薄膜晶体管的经表面处理的基板 无效 - 撤回

用于顶栅有机薄膜晶体管的经表面处理的基板
摘要：
顶栅晶体管的形成方法，该方法包括如下步骤：提供带有源极和漏极的基板，该源极和漏极在其间限定沟道区；处理该沟道区的表面的至少一部分以降低其极性；并在该沟道中沉积半导体层。
摘要（英）：

A method of forming a top gate transistor comprising the steps of providing a substrate carrying source and drain electrodes defining a channel region therebetween; treating at least part of the surface of the channel region to reduce its polarity; and depositing a semiconductor layer in the channel.

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