- 专利标题: 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法
- 专利标题(英): Diffusion method for preparing emitting electrode of polycrystalline silicon solar battery
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申请号: CN201010584827.3申请日: 2010-12-13
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公开(公告)号: CN102148284A公开(公告)日: 2011-08-10
- 发明人: 汤安民 , 梅晓东 , 石峰军 , 姜平 , 董艳辉
- 申请人: 浙江晶科能源有限公司
- 申请人地址: 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号
- 专利权人: 浙江晶科能源有限公司
- 当前专利权人: 浙江晶科能源有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号
- 代理机构: 浙江杭州金通专利事务所有限公司
- 代理商 吴关炳
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法。主要采用液态POCl3磷源,使用高浓度掺杂扩散工艺,通过改善发射极磷分布曲线,达到提高硅电池性能的目的。其采用了多次通源扩散的方法:对硅片进行预氧化后,先在较低温度下,对硅片进行第一次有源扩散;然后升到较高的温度进行第二次有源扩散;或升高到更高的温度进行第三次有源扩散。此种方法相比一次有源扩散可以在不增加成本的情况下获得的效率提升。
公开/授权文献
- CN102148284B 制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法 公开/授权日:2012-11-21
IPC分类: