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CN102157268B 钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法和应用
失效 - 权利终止
- Patent Title: 钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法和应用
- Patent Title (English): Tungsten-doped nanocrystalline titanium dioxide semiconductor film as well as preparation method and application thereof
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Application No.: CN201010555232.5Application Date: 2010-11-23
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Publication No.: CN102157268BPublication Date: 2012-08-01
- Inventor: 王忠胜 , 刘芳 , 周刚 , 张希
- Applicant: 复旦大学
- Applicant Address: 上海市杨浦区邯郸路220号
- Assignee: 复旦大学
- Current Assignee: 复旦大学
- Current Assignee Address: 上海市杨浦区邯郸路220号
- Agency: 上海正旦专利代理有限公司
- Agent 陆飞; 盛志范
- Main IPC: H01G9/042
- IPC: H01G9/042 ; H01G9/20 ; H01M14/00 ; H01L51/42 ; H01L51/44 ; H01L51/48 ; C03C17/23
Abstract:
本发明属于光电化学和光伏技术领域,具体为一种钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法与应用。本发明首先将钨酸溶液加入到异丙氧钛在水中,经处理得到钨掺杂二氧化钛胶体,然后通过水热法形成纳米晶薄膜。钨掺杂后可以调控二氧化钛的导带能级,使之与染料的激发态能级更好的匹配。利用该纳米晶薄膜组装染料敏化太阳电池,可显著提高电池的短路光电流和电子寿命,从而使能量转化效率大幅提高。该发明可以弥补某些染料与二氧化钛导带能级不匹配的缺点,具有很强的应用前景。
Public/Granted literature
- CN102157268A 钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法和应用 Public/Granted day:2011-08-17
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