发明授权
- 专利标题： 具有垂直结构的发光二极管及其制造方法
- 专利标题（英）： Led having vertical structure and method for fabricating the same
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申请号： CN201110094682.3申请日： 2006-12-15
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公开(公告)号： CN102157644B公开(公告)日： 2012-12-26
- 发明人: 金钟旭 , 崔在完 , 曹贤敬 , 罗钟浩 , 张峻豪
- 申请人： LG电子株式会社 , LG伊诺特有限公司
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： LG电子株式会社,LG伊诺特有限公司
- 当前专利权人： LG电子株式会社,LG伊诺特有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 戚传江; 谢丽娜
- 优先权： 10-2005-0123857 2005.12.15 KR; 10-2006-0063586 2006.07.06 KR
- 分案原申请号： 2006101700622 2006.12.15
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
本发明涉及具有垂直结构的发光二极管及其制造方法，本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
公开/授权文献
- CN102157644A 具有垂直结构的发光二极管及其制造方法 公开/授权日：2011-08-17
IPC分类:
