发明授权
- 专利标题: 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制造方法
- 专利标题(英): Corona-resistance polyimide film and manufacturing method thereof
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申请号: CN201110049302.4申请日: 2011-03-01
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公开(公告)号: CN102161828B公开(公告)日: 2014-07-09
- 发明人: 张玉谦 , 滕国荣
- 申请人: 天津市天缘电工材料有限责任公司
- 申请人地址: 天津市北辰区北辰科技园区畜牧研究所路南
- 专利权人: 天津市天缘电工材料有限责任公司
- 当前专利权人: 天津市天缘电工材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市北辰区北辰科技园区畜牧研究所路南
- 代理机构: 北京远大卓悦知识产权代理事务所
- 代理商 史霞
- 主分类号: C08L79/08
- IPC分类号: C08L79/08 ; C08K13/02 ; C08K3/22 ; C08K3/36 ; C08K3/28 ; C08K3/34 ; C08G73/10 ; C08J5/18 ; B29C55/14
摘要:
本发明公开了一种耐电晕聚酰亚胺薄膜,其组分和质量百分比如下:乳液,其包括纳米金属氧化物及纳米金属氮化物7~14%、分散剂0.3~0.6%、乳化剂0.3~0.5%,余量为吡咯烷酮;胺溶液,其包括4,4′-二氨基二苯醚20-25%和二甲基乙酰胺75-80%,且乳液和胺溶液的质量比为1∶1.1~1.3;均苯四甲酸二酐,其与4,4′-二氨基二苯醚的质量比为1∶1.09。本发明还公开了此种耐电晕聚酰亚胺薄膜的制造方法。本发明利用添加乳化剂、分散剂及高压乳化技术使得纳米金属氧化物及氮化物在聚酰胺酸树脂中得到充分的分散,并且含量很高。因此生产的薄膜耐电晕性高且散差小,同时薄膜又保持良好的机械性能和电性能等。
公开/授权文献
- CN102161828A 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制造方法 公开/授权日:2011-08-24