ZnS/Si核壳纳米线或纳米带及多晶Si管制备方法
Abstract:
本发明公开了一种ZnS/Si核壳纳米线或纳米带及多晶Si管制备方法。本发明采用在真空管式炉中进行两步热蒸发,利用不同形貌的ZnS为模板,通过控制Si的生长时间合成了不同直径的ZnS/Si核壳纳米线或纳米带,再利用稀盐酸处理得到多种形貌和不同直径的多晶Si管。该方法操作简单、可控性好,适于大规模生产多种形貌、不同直径的ZnS/Si核壳纳米线或纳米带及多晶Si管。本发明方法得到的一维纳米材料在硅基集成电路、纳米光学器件和纳米传感器等方面具有广泛的应用前景。
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