一种单晶硅太阳能电池表面织构化方法
摘要:
本发明涉及一种单晶硅太阳能电池表面织构化方法,其步骤如下:(1)在超声槽内配制由浓度为0.005%~0.015%的洗涤灵和浓度为0.015%~0.2%的氢氧化钠组成的混合液,将该混合液加热至80~90℃的恒温,在该恒温区间内对单晶硅片进行1~5min的超声洗清;(2)清洗干净后,在单晶硅片表面均匀喷淋G溶液,G溶液包括质量百分比为1%~5%钠盐、质量百分比为0.01%~0.05%碳酰胺和质量百分比为0.0015%~0.01%乳酸;(3)在恒温超声槽内配制碱性腐蚀液,把单晶硅片放在碱性腐蚀液中腐蚀,其反应温度范围为70~85℃,腐蚀时间为10~25min;(4)腐蚀反应后冲洗单晶硅片,并将其吹干即完成单晶硅片表面织构化。本发明成本低,利于太阳能吸收,可以广泛应用在太阳能电池领域中。
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