发明授权
- 专利标题: 一种单晶硅太阳能电池表面织构化方法
- 专利标题(英): Method for texturing surface of monocrystalline silicon solar battery
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申请号: CN201110060422.4申请日: 2011-03-14
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公开(公告)号: CN102168315B公开(公告)日: 2012-11-21
- 发明人: 勾宪芳 , 姜利凯 , 王鹏
- 申请人: 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
- 申请人地址: 江苏省镇江市大港新区通港路1号
- 专利权人: 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
- 当前专利权人: 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省镇江市大港新区通港路1号
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 徐宁
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本发明涉及一种单晶硅太阳能电池表面织构化方法,其步骤如下:(1)在超声槽内配制由浓度为0.005%~0.015%的洗涤灵和浓度为0.015%~0.2%的氢氧化钠组成的混合液,将该混合液加热至80~90℃的恒温,在该恒温区间内对单晶硅片进行1~5min的超声洗清;(2)清洗干净后,在单晶硅片表面均匀喷淋G溶液,G溶液包括质量百分比为1%~5%钠盐、质量百分比为0.01%~0.05%碳酰胺和质量百分比为0.0015%~0.01%乳酸;(3)在恒温超声槽内配制碱性腐蚀液,把单晶硅片放在碱性腐蚀液中腐蚀,其反应温度范围为70~85℃,腐蚀时间为10~25min;(4)腐蚀反应后冲洗单晶硅片,并将其吹干即完成单晶硅片表面织构化。本发明成本低,利于太阳能吸收,可以广泛应用在太阳能电池领域中。
公开/授权文献
- CN102168315A 一种单晶硅太阳能电池表面织构化方法 公开/授权日:2011-08-31
IPC分类: