发明公开
- 专利标题: 点火器用功率半导体装置
- 专利标题(英): Power semiconductor device for igniter
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申请号: CN201010609297.3申请日: 2010-12-14
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公开(公告)号: CN102170284A公开(公告)日: 2011-08-31
- 发明人: 神户伸介 , 安田幸央 , 河本厚信
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 何欣亭; 徐予红
- 优先权: 2009-284098 2009.12.15 JP
- 主分类号: H03K17/72
- IPC分类号: H03K17/72 ; F02P3/05 ; H01L27/02
摘要:
本发明提供一种不妨碍整个装置的小型化或精简化而以简单的结构实现电源的过电压保护,且可靠性高的点火器用功率半导体装置。对点火线圈(6)的初级电流进行通电/切断的第一半导体开关元件(4)并联连接,使搭载于集成电路(3)上的第二半导体开关元件(35)先通电而使第三半导体开关元件(300)导通,从而监视电源的过电压,并保护所述第一半导体开关元件(4)免受过电压。
公开/授权文献
- CN102170284B 点火器用功率半导体装置 公开/授权日:2014-06-18
IPC分类: