发明授权
- 专利标题: 氮化硅发热体的制作方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing silicon nitride heating body
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申请号: CN201010582116.2申请日: 2010-12-09
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公开(公告)号: CN102170716B公开(公告)日: 2013-01-30
- 发明人: 冯志峰
- 申请人: 江苏华盛精细陶瓷科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省金坛市经济开发区思母路1号
- 专利权人: 江苏华盛精细陶瓷科技有限公司
- 当前专利权人: 江苏国瓷金盛陶瓷科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省金坛市经济开发区思母路1号
- 主分类号: H05B3/10
- IPC分类号: H05B3/10 ; H05B3/18 ; C04B35/76 ; C04B35/584
摘要:
本发明涉及一种氮化硅发热体的制作方法包括:将氮化硅粉料与少量高温液相助烧剂置入无水乙醇中混合,混料10-72小时后,经喷雾造粒制成配方料;然后将金属发热丝埋入配方料并干压成型,然后通过180-220MPa的冷等静压进一步压制成型,并保压3-10分钟,以制成素坯;然后,在所述素坯表面均匀涂覆一层氮化硼隔离层后烘干;然后进行热压烧结,烧结压力20-30MPa,烧结温度1600-1900℃,保温时间0.5-4小时,以制成毛坯;最后,将毛坯放入真空气氛炉中,保持1300-1600℃恒温10-24小时,然后自然冷却至室温。所述氮化硼隔离层是由氮化硼粉料和氮化硅粉料混合后与无水乙醇调和成的稠状浆料。
公开/授权文献
- CN102170716A 氮化硅发热体的制作方法 公开/授权日:2011-08-31