发明授权
- 专利标题： 一种硅量子点的表面水溶性修饰改性方法
- 专利标题（英）： Surface modification method for silicon quantum dots
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申请号： CN201110052410.7申请日： 2011-03-04
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公开(公告)号： CN102173420B公开(公告)日： 2013-03-20
- 发明人: 葛介超 , 汪鹏飞 , 赵文文 , 刘卫敏 , 张洪艳
- 申请人： 中国科学院理化技术研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村北一条2号光响应材料与器件实验室
- 专利权人： 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人： 上海氢程科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村北一条2号光响应材料与器件实验室
- 代理机构： 北京正理专利代理有限公司
- 代理商 张文祎
- 主分类号： C01B33/021
- IPC分类号： C01B33/021 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种硅量子点的表面水溶性修饰改性方法，该方法是将硅量子点溶解于有机溶剂中，加入过氧化物；然后在无水无氧的条件下进行加热反应，经纯化后得到产品。本发明方法工艺简单，反应条件易于控制，反应时间短，可实现大量、快速修饰改性硅量子点。
公开/授权文献
- CN102173420A 一种硅量子点的表面修饰改性方法 公开/授权日：2011-09-07
