发明授权
- 专利标题: 提高低压降稳压电路稳定性的方法及实现该方法的低压降稳压器
- 专利标题(英): Method for improving stability of low drop-out voltage regulating circuit and low drop-out voltage regulating stabilizer for realizing same
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申请号: CN201010612568.0申请日: 2010-12-29
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公开(公告)号: CN102176182B公开(公告)日: 2013-05-15
- 发明人: 高彬 , 马岩 , 陆崇鑫 , 李宏志
- 申请人: 山东华芯半导体有限公司
- 申请人地址: 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件大厦B座二层
- 专利权人: 山东华芯半导体有限公司
- 当前专利权人: 山东华芯半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件大厦B座二层
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 徐平; 王少文
- 主分类号: G05F1/56
- IPC分类号: G05F1/56
摘要:
本发明一种提高低压降稳压电路稳定性的方法及实现该方法的低压降稳压器,其实现是在低压降稳压电路中引入附加零极点,以提高低压降稳压器电路的稳定性,具体可以在PMOS驱动管的栅漏极之间接入由补偿电容和补偿电阻串联构成的反馈回路,设计补偿电容和补偿电阻的值,通过补偿电路产生的附加零点来低压降稳压器的第二主极点,同时使得加入的补偿电路带来的附加极点被低压降稳压电路的输出电容所产生的零点所补偿,则电路的相位裕度得到改善,低压降稳压器电路可以实现较好的稳定性,其输出端不会发生振荡。
公开/授权文献
- CN102176182A 提高低压降稳压电路稳定性的方法及实现该方法的低压降稳压器 公开/授权日:2011-09-07
IPC分类: