• 专利标题: 一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法
  • 专利标题(英): Preparation method of water-soluble Zn-doped CdTe quantum dot CdxZn1-xTe
  • 申请号: CN201110070290.3
    申请日: 2011-03-23
  • 公开(公告)号: CN102181293B
    公开(公告)日: 2012-12-12
  • 发明人: 何治柯方旸
  • 申请人: 武汉大学
  • 申请人地址: 湖北省武汉市武昌珞珈山
  • 专利权人: 武汉大学
  • 当前专利权人: 武汉大学
  • 当前专利权人地址: 湖北省武汉市武昌珞珈山
  • 代理机构: 武汉宇晨专利事务所
  • 代理商 王敏锋
  • 主分类号: C09K11/88
  • IPC分类号: C09K11/88
一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法
摘要:
本发明公开了一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法。该制备方法的操作步骤是在水相中将镉盐和锌盐或镉和锌的氧化物与水溶性巯基化合物混合,注入预先制备得到的碲氢化物,得到CdxZn1-xTe前体溶液,然后将此溶液置于水热反应釜中,反应制备得到CdxZn1-xTe荧光量子点。此方法在水相中进行,操作安全简便,易于规模化生产,绿色环保;所得的产品性能优良,即使Zn掺杂的摩尔百分比(即在所制得的CdxZn1-xTe中Zn占Zn和Cd摩尔总量的百分比)超过70%,所得到的量子点仍同时兼具高荧光量子产率和优异的光稳定性,大大降低了Cd的含量及毒性,可广泛应用于光电转换、发光及显示材料、生物检测和靶向示踪。
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