发明授权
- 专利标题: 离子注入系统及方法
- 专利标题(英): Ion implantation system and method
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申请号: CN201010157012.7申请日: 2010-03-18
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公开(公告)号: CN102194636B公开(公告)日: 2013-04-10
- 发明人: 陈炯
- 申请人: 上海凯世通半导体有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号
- 专利权人: 上海凯世通半导体有限公司
- 当前专利权人: 上海凯世通半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 薛琦; 朱水平
- 主分类号: H01J37/317
- IPC分类号: H01J37/317 ; H01J37/147
摘要:
本发明公开了一种离子注入系统,其包括:一离子源和一引出装置;在该离子束的传输路径上依次设有:一质量分析磁铁,用于从该离子束中选择一预设能量范围内的离子束;一校正磁铁,用于校准和聚焦该预设能量范围内的离子束;一工件扫描装置,用于使工件扫描穿过该预设能量范围内的离子束,以进行离子注入;一设于该校正磁铁上游的扫描磁铁,用于扫描通过的离子束;一设于注入工位处的束流测量装置,用于在离子束的扫描方向上测量束流的强度分布和角度分布。本发明还公开了一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法。本发明能够同时实现离子注入的角度均匀性和强度均匀性,且离子束传输效率较高、生产效率也较高。
公开/授权文献
- CN102194636A 离子注入系统及方法 公开/授权日:2011-09-21