本发明提供一种制作半导体器件间隙壁的方法，包括：提供一衬底，该衬底的表面具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成间隙壁材料层；以及使用包含碳氟化合物和惰性气体但不包含氧气的刻蚀气体对所述氧化物层和所述间隙壁材料层进行刻蚀，以形成间隙壁，其中，所述碳氟化合物与所述惰性气体的流速比为0.1-1。根据本发明的方法能够有效解决密集区和非密集区间隙壁厚度不均匀的问题，改善了器件的电学性能，使器件在不同环境下运行速度均匀，从而提高良品率。