发明授权
- 专利标题： 半导体装置的制造方法及半导体装置
- 专利标题（英）： Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
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申请号： CN201110052233.2申请日： 2011-03-04
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公开(公告)号： CN102194716B公开(公告)日： 2015-01-28
- 发明人: 饭岛利恒
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 徐殿军
- 优先权： 049348/2010 2010.03.05 JP
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L21/78 ; H01L23/495 ; H01L23/29
摘要：
基于本发明的一实施例的半导体装置的制造方法包含以下工序：覆盖工序，使多个基板互相分离地对分别搭载有半导体芯片的多个基板用密封树脂进行覆盖；及切断工序，切断多个基板间的密封树脂。
公开/授权文献
- CN102194716A 半导体装置的制造方法及半导体装置 公开/授权日：2011-09-21
IPC分类:
