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发明公开
CN102201459A 一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料及其制备方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料及其制备方法
  • 专利标题（英）： Photoelectrode material of nanometer porous metal load semiconductor and preparation method thereof
  • 申请号： CN201110078259.4
    申请日： 2011-03-30
  • 公开(公告)号： CN102201459A
    公开(公告)日： 2011-09-28
  • 发明人: 丁轶 , 毕璇璇
  • 申请人： 山东大学
  • 申请人地址： 山东省济南市历下区山大南路27号
  • 专利权人： 山东大学
  • 当前专利权人： 山东大学
  • 当前专利权人地址： 山东省济南市历下区山大南路27号
  • 代理机构： 济南金迪知识产权代理有限公司
  • 代理商 周慰曾
  • 主分类号： H01L31/0224
  • IPC分类号： H01L31/0224 ;  H01L31/18
一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料及其制备方法
摘要：
本发明涉及一种用于太阳电池的光电极材料及其制备方法，特别是一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料及其制备方法，属于光电化学技术领域。一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料，包括厚度为50纳米-100微米的纳米多孔金属和厚度为1纳米-1微米的半导体层，所述半导体层沉积后均匀覆盖在纳米多孔金属三维连续的孔壁表面。本发明制得的用于太阳电池的光电极材料，与传统量子点太阳电池光阳极材料相比，纳米多孔金属具有的三维多孔结构能够为材料提供更好的电子传输途径。
摘要（英）：

The invention relates to a photoelectrode material used in a solar cell and a preparation method thereof, especially relates to a photoelectrode material of a nanometer porous metal load semiconductor and a preparation method thereof, belonging to the photoelectrode chemistry technical field. The photoelectrode material of a nanometer porous metal load semiconductor comprises a nanometer porous metal with a thickness of 50 nanometer to 100 micrometer and a semiconductor layer with a thickness of 1 nanometer to 1 micrometer, wherein after deposition the semiconductor layer uniformly coats the three dimensionally continuous hole wall surface of the nanometer porous metal. Compared with the photoanode material of traditional quantum dot solar cell, nanometer porous metal of the photoelectrode material used in solar cell produced in the invention has a three dimensional porous structure which provides better electrical transmission approach for material.

公开/授权文献
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