发明公开
CN102201566A 一种纳米铋酸银掺杂的二氧化锰电极及其掺杂方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种纳米铋酸银掺杂的二氧化锰电极及其掺杂方法
- 专利标题(英): Nano bismuth acid silver doped manganese dioxide electrode and doping method of manganese dioxide electrode
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申请号: CN201110102306.4申请日: 2011-04-23
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公开(公告)号: CN102201566A公开(公告)日: 2011-09-28
- 发明人: 潘军青 , 王倩 , 孙艳芝
- 申请人: 北京化工大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区北三环东路15号
- 专利权人: 北京化工大学
- 当前专利权人: 北京化工大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北三环东路15号
- 主分类号: H01M4/131
- IPC分类号: H01M4/131 ; H01M4/1391
摘要:
本发明涉及一种纳米铋酸银掺杂的二氧化锰电极及其掺杂方法,通过控制pH值、分散剂、搅拌、超声和温度等条件,将硝酸铋和硝酸银的混合溶液分步和NaOH或者KOH溶液在分散剂作用下进行可控的化学沉淀过程,将新生成的纳米铋酸银颗粒均匀地掺杂到二氧化锰粉体表面及内部,再经离心干燥而成掺杂二氧化锰粉末。采用该掺杂二氧化锰粉末制作而成的碱锰二次电池具有良好的放电性能和80次以上的循环寿命。
公开/授权文献
- CN102201566B 一种纳米铋酸银掺杂的二氧化锰电极及其掺杂方法 公开/授权日:2013-07-24