发明授权
- 专利标题: 等离子体生成设备
- 专利标题(英): Plasma generation apparatus
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申请号: CN201110084746.1申请日: 2011-03-25
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公开(公告)号: CN102202455B公开(公告)日: 2014-07-09
- 发明人: G·加尼雷迪 , A·K·博霍里 , T·阿索肯
- 申请人: 通用电气公司
- 申请人地址: 美国纽约州
- 专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人: ABB有限公司
- 当前专利权人地址: 意大利米兰
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 朱铁宏; 谭祐祥
- 优先权: 12/731700 2010.03.25 US
- 主分类号: H05H1/48
- IPC分类号: H05H1/48
摘要:
本发明涉及等离子体生成设备。具体而言,提供了一种设备,如电弧减轻装置(110),其可包括第一等离子体生成装置(136)和第二等离子体生成装置(138)。第二等离子体生成装置可包括一对相对且间隔开的电极(144a,144b)以及连接在其间的低电压高电流能量源(148)。通道(194)可构造成用以在第一等离子体生成装置与第二等离子体生成装置之间引导等离子体,使得第二等离子体生成装置接收由第一等离子体生成装置产生的等离子体。来自于第一等离子体生成装置的等离子体可用来将该一对相对的电极之间的区域的阻抗减少到足以容许由于低电压高电流的能量源而引起在其间形成电弧。
公开/授权文献
- CN102202455A 等离子体生成设备 公开/授权日:2011-09-28