发明授权
CN102203107B 有害化合物的无害化方法及有机半导体元素化合物的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 有害化合物的无害化方法及有机半导体元素化合物的制造方法
- 专利标题(英): Method for detoxifying toxic compound, and process for producing organic semiconductor element compound
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申请号: CN200980144265.6申请日: 2009-11-02
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公开(公告)号: CN102203107B公开(公告)日: 2014-11-26
- 发明人: 中村浩一郎
- 申请人: 日本板硝子株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 日本板硝子株式会社
- 当前专利权人: 日本板硝子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 蒋亭
- 优先权: 2008-285882 2008.11.06 JP
- 国际申请: PCT/JP2009/068777 2009.11.02
- 国际公布: WO2010/053072 JA 2010.05.14
- 进入国家日期: 2011-05-05
- 主分类号: C07F9/72
- IPC分类号: C07F9/72 ; A62D3/176 ; A62D3/30 ; B01J31/22 ; B01J35/02 ; A62D101/40 ; A62D101/43
摘要:
本发明提供一种利用有机钴络合物使有害的砷、锑和硒化合物无害化的方法,该方法能够对成本方面进行改善。本发明涉及一种有害化合物的无害化方法,该方法包括:对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、甲基供体、二氧化钛光催化剂和有害化合物进行光照射,从而使有害化合物甲基化,该有害化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。本发明中,优选使有害化合物三甲基化。
公开/授权文献
- CN102203107A 有害化合物的无害化方法及有机半导体元素化合物的制造方法 公开/授权日:2011-09-28