发明授权
CN102206080B 太阳能光伏产业单晶硅生长热场用石墨材料及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 太阳能光伏产业单晶硅生长热场用石墨材料及其制造方法
- 专利标题(英): Graphite material for monocrystalline silicon growth thermal field in solar photovoltaic industry and production method thereof
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申请号: CN201110115307.2申请日: 2011-05-05
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公开(公告)号: CN102206080B公开(公告)日: 2012-06-06
- 发明人: 张培模 , 张培林 , 赤九林 , 叶荣 , 杨晓峰 , 张日清 , 庞中海 , 范志利 , 阮明礼 , 纪永良 , 苗全
- 申请人: 大同新成新材料股份有限公司
- 申请人地址: 山西省大同市新荣区花园屯乡工业园区
- 专利权人: 大同新成新材料股份有限公司
- 当前专利权人: 大同新成新材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 山西省大同市新荣区花园屯乡工业园区
- 代理机构: 北京元中知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王明霞
- 主分类号: C04B35/532
- IPC分类号: C04B35/532 ; C04B35/64
摘要:
本发明涉及一种太阳能光伏产业单晶硅生长热场用石墨材料,所述石墨材料的原料中,骨料为煅后石油焦,所述煅后石油焦的真密度≥2.1g/cm3,灰分≤0.3%,粘结剂为中温沥青,所述中温沥青的软化点为83~86℃,结焦值≥49%。所述石墨材料的体积密度≥1.80g/cm3,电阻率≤7.0μΩm,抗压强度≥38MPa,抗折强度≥18Mpa,气孔率≤14%,灰分≤0.2%,热膨胀系数≤2*10-6/℃。该石墨材料的制备方法包括以下步骤:原料的破碎、筛分、配料、混捏、成型、一次焙烧、一次浸渍、二次焙烧、二次浸渍、三次焙烧、以及石墨化得到成品。
公开/授权文献
- CN102206080A 太阳能光伏产业单晶硅生长热场用石墨材料及其制造方法 公开/授权日:2011-10-05
IPC分类: