发明授权
CN102221169B 直下式发光二极管背光模组及发光二极管结构
失效 - 权利终止
- 专利标题: 直下式发光二极管背光模组及发光二极管结构
- 专利标题(英): Straight down type LED (light-emitted diode) backlight module and LED structure
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申请号: CN201110174470.6申请日: 2011-06-27
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公开(公告)号: CN102221169B公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 沈冬明 , 王同新
- 申请人: 友达光电(苏州)有限公司 , 友达光电股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹中路398号
- 专利权人: 友达光电(苏州)有限公司,友达光电股份有限公司
- 当前专利权人: 友达光电(苏州)有限公司,友达光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹中路398号
- 代理机构: 上海波拓知识产权代理有限公司
- 代理商 杨波
- 主分类号: G02F1/13357
- IPC分类号: G02F1/13357 ; F21S8/00 ; F21V5/08 ; F21V19/00 ; F21Y101/02
摘要:
一种直下式发光二极管背光模组,包括基板及扩散板、以及设置在基板与扩散板间的多个发光二极管,发光二极管设置在基板上;其还包括设置在基板与扩散板之间的多个光散射元件,用于对发光二极管发出的光进行散射,且光散射元件包括弧形入光面、及出光面,出光面上形成有多个散射结构,且散射结构包括至少一个第一散射结构、至少一个第二散射结构或其组合。其中,每个第一散射结构为向内凹设于出光面的环形凹槽且环形凹槽的底面为内凹弧面,每个第二散射结构为向外凸设于出光面的环形壁。本发明的直下式发光二极管背光模组可满足薄型化设计的需求。本发明还提供一种可对发光二极管芯片发出的光线进行散射的发光二极管结构。
公开/授权文献
- CN102221169A 直下式发光二极管背光模组及发光二极管结构 公开/授权日:2011-10-19
IPC分类: