发明公开
- 专利标题: 边发射半导体激光器芯片
- 专利标题(英): Edge-emitting semiconductor laser chip
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申请号: CN200980146859.0申请日: 2009-10-21
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公开(公告)号: CN102224647A公开(公告)日: 2011-10-19
- 发明人: 克里斯蒂安·劳尔 , 哈拉尔德·科尼格 , 沃尔夫冈·赖尔 , 尤伟·斯特劳斯
- 申请人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 申请人地址: 德国雷根斯堡
- 专利权人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 当前专利权人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址: 德国雷根斯堡
- 代理机构: 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 许伟群; 郭放
- 优先权: 102008058436.3 2008.11.21 DE
- 国际申请: PCT/DE2009/001482 2009.10.21
- 国际公布: WO2010/057455 DE 2010.05.27
- 进入国家日期: 2011-05-23
- 主分类号: H01S5/22
- IPC分类号: H01S5/22 ; H01S5/042 ; H01S5/10
摘要:
一种边发射半导体激光器芯片(1)具有:半导体本体(100),其包括至少一个有源区(14),在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10);至少一个接触带(2),其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上;以及至少两个限制结构(4),用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展,其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
公开/授权文献
- CN102224647B 边发射半导体激光器芯片 公开/授权日:2013-09-18