边发射半导体激光器芯片
摘要:
一种边发射半导体激光器芯片(1)具有:半导体本体(100),其包括至少一个有源区(14),在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10);至少一个接触带(2),其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上;以及至少两个限制结构(4),用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展,其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
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